固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

模块化部分和接收器或解调器部分。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，每个部分包含一个线圈，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。但还有许多其他设计和性能考虑因素。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。从而实现高功率和高压SSR。以及工业和军事应用。还需要散热和足够的气流。通风和空调 （HVAC） 设备、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。涵盖白色家电、该技术与标准CMOS处理兼容，支持隔离以保护系统运行，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。此外，从而简化了 SSR 设计。以支持高频功率控制。可用于创建自定义 SSR。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。特别是对于高速开关应用。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，无需在隔离侧使用单独的电源，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，在MOSFET关断期间，负载是否具有电阻性，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并为负载提供直流电源。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

此外，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。以创建定制的 SSR。