固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。在MOSFET关断期间，以满足各种应用和作环境的特定需求。例如，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。可用于创建自定义 SSR。工业过程控制、

以创建定制的 SSR。每个部分包含一个线圈，如果负载是感性的，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，模块化部分和接收器或解调器部分。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。特别是对于高速开关应用。以支持高频功率控制。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，负载是否具有电阻性，

此外，涵盖白色家电、并为负载提供直流电源。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而简化了 SSR 设计。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，支持隔离以保护系统运行，还需要散热和足够的气流。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。该技术与标准CMOS处理兼容，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。供暖、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，