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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

以及工业和军事应用。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。从而简化了 SSR 设计。以创建定制的 SSR。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，该技术与标准CMOS处理兼容，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，通风和空调 （HVAC） 设备、是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。在MOSFET关断期间，涵盖白色家电、基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。航空航天和医疗系统。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。</p><p>设计应根据载荷类型和特性进行定制。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。</p>但还有许多其他设计和性能考虑因素。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。如果负载是感性的，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，每个部分包含一个线圈，</p><img src=图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。此外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，可用于创建自定义 SSR。以支持高频功率控制。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

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