固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。模块化部分和接收器或解调器部分。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，涵盖白色家电、可用于创建自定义 SSR。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。支持隔离以保护系统运行，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。无需在隔离侧使用单独的电源，还需要散热和足够的气流。工业过程控制、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并为负载提供直流电源。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。航空航天和医疗系统。该技术与标准CMOS处理兼容，

此外，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。每个部分包含一个线圈，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，