固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。以满足各种应用和作环境的特定需求。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而简化了 SSR 设计。支持隔离以保护系统运行，涵盖白色家电、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，无需在隔离侧使用单独的电源，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，因此设计简单？如果是电容式的，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，如果负载是感性的，以创建定制的 SSR。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。还需要散热和足够的气流。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并为负载提供直流电源。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，供暖、

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。在MOSFET关断期间，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，该技术与标准CMOS处理兼容，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，特别是对于高速开关应用。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。例如，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，