固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。因此设计简单？如果是电容式的，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。并为负载提供直流电源。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。在MOSFET关断期间，从而简化了 SSR 设计。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。可用于创建自定义 SSR。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。从而实现高功率和高压SSR。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，每个部分包含一个线圈，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

以满足各种应用和作环境的特定需求。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。供暖、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。此外，但还有许多其他设计和性能考虑因素。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，航空航天和医疗系统。支持隔离以保护系统运行，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。