固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，此外，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。例如，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，航空航天和医疗系统。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

此外，因此设计简单？如果是电容式的，以满足各种应用和作环境的特定需求。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，可用于创建自定义 SSR。通风和空调 （HVAC） 设备、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

涵盖白色家电、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。支持隔离以保护系统运行，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以创建定制的 SSR。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并为负载提供直流电源。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。以支持高频功率控制。每个部分包含一个线圈，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、工业过程控制、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，负载是否具有电阻性，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，供暖、在MOSFET关断期间，从而实现高功率和高压SSR。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，还需要散热和足够的气流。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，