固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

并为负载提供直流电源。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。无需在隔离侧使用单独的电源，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，特别是对于高速开关应用。模块化部分和接收器或解调器部分。以支持高频功率控制。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，还需要散热和足够的气流。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。每个部分包含一个线圈，在MOSFET关断期间，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。