固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

从而实现高功率和高压SSR。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，特别是对于高速开关应用。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，此外，还需要散热和足够的气流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。负载是否具有电阻性，支持隔离以保护系统运行，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

此外，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，但还有许多其他设计和性能考虑因素。如果负载是感性的，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。每个部分包含一个线圈，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而简化了 SSR 设计。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、以创建定制的 SSR。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以满足各种应用和作环境的特定需求。