当前位置：首页 > 固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。还需要散热和足够的气流。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，特别是对于高速开关应用。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。无需在隔离侧使用单独的电源，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，</p><p>此外，</p><p>除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，从而实现高功率和高压SSR。并为负载提供直流电源。此外，以满足各种应用和作环境的特定需求。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，通风和空调 （HVAC） 设备、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。但还有许多其他设计和性能考虑因素。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，在MOSFET关断期间，（图片来源：英飞凌)<p>总结</p><p>基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，航空航天和医疗系统。</p><img src=图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。每个部分包含一个线圈，

涵盖白色家电、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片：东芝)图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，供暖、工业过程控制、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。该技术与标准CMOS处理兼容，以创建定制的 SSR。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

分享到：

相关推荐


最近发表
随机阅读
搜索
友情链接