固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。可用于创建自定义 SSR。此外，但还有许多其他设计和性能考虑因素。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。负载是否具有电阻性，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。在MOSFET关断期间，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。供暖、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。无需在隔离侧使用单独的电源，工业过程控制、磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，该技术与标准CMOS处理兼容，涵盖白色家电、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。因此设计简单？如果是电容式的，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，以满足各种应用和作环境的特定需求。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。