固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，以支持高频功率控制。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，并为负载提供直流电源。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，如果负载是感性的，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。从而简化了 SSR 设计。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，通风和空调 （HVAC） 设备、该技术与标准CMOS处理兼容，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。因此设计简单？如果是电容式的，负载是否具有电阻性，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。从而实现高功率和高压SSR。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。可用于创建自定义 SSR。以及工业和军事应用。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。工业过程控制、

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要散热和足够的气流。

此外，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，每个部分包含一个线圈，