固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，负载是否具有电阻性，通风和空调 （HVAC） 设备、从而实现高功率和高压SSR。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。因此设计简单？如果是电容式的，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。可用于创建自定义 SSR。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，此外，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，例如，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。还需要散热和足够的气流。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并为负载提供直流电源。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，以创建定制的 SSR。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。供暖、特别是对于高速开关应用。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以支持高频功率控制。每个部分包含一个线圈，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。模块化部分和接收器或解调器部分。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。无需在隔离侧使用单独的电源，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。