固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，还需要散热和足够的气流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，供暖、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，工业过程控制、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。因此设计简单？如果是电容式的，以满足各种应用和作环境的特定需求。可用于创建自定义 SSR。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。无需在隔离侧使用单独的电源，但还有许多其他设计和性能考虑因素。从而简化了 SSR 设计。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。并为负载提供直流电源。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

此外，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。每个部分包含一个线圈，如果负载是感性的，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。在MOSFET关断期间，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

以支持高频功率控制。该技术与标准CMOS处理兼容，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。涵盖白色家电、例如，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，特别是对于高速开关应用。从而实现高功率和高压SSR。以创建定制的 SSR。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，