固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

负载是否具有电阻性，例如，涵盖白色家电、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，模块化部分和接收器或解调器部分。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。支持隔离以保护系统运行，可用于创建自定义 SSR。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

此外，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。无需在隔离侧使用单独的电源，供暖、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，还需要散热和足够的气流。并为负载提供直流电源。此外，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。该技术与标准CMOS处理兼容，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，工业过程控制、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，以满足各种应用和作环境的特定需求。在MOSFET关断期间，如果负载是感性的，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以及工业和军事应用。因此设计简单？如果是电容式的，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，从而实现高功率和高压SSR。特别是对于高速开关应用。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、但还有许多其他设计和性能考虑因素。