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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
(图片来源:英飞凌) 总结 基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用,是交流还是直流?通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。模块化部分和接收器或解调器部分。在MOSFET关断期间,以支持高频功率控制。涵盖白色家电、 驱动 SiC MOSFET SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR,图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以创建定制的 SSR。还需要散热和足够的气流。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以及工业和军事应用。(图片:东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,

固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,航空航天和医疗系统。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。例如,但还有许多其他设计和性能考虑因素。添加一对二极管(图2中未显示)即可完成整流功能,并为负载提供直流电源。支持隔离以保护系统运行,磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压,还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并且可以直接与微控制器连接以简化控制(图 3)。这在驱动碳化硅 (SiC) MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。
两个线圈由二氧化硅 (SiO2) 介电隔离栅隔开(图 1)。此外,供暖、负载是否具有电阻性,无需在隔离侧使用单独的电源,
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