固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

从而简化了 SSR 设计。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。通风和空调 （HVAC） 设备、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。在MOSFET关断期间，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，从而实现高功率和高压SSR。航空航天和医疗系统。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，并为负载提供直流电源。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，还需要散热和足够的气流。以满足各种应用和作环境的特定需求。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。该技术与标准CMOS处理兼容，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，无需在隔离侧使用单独的电源，支持隔离以保护系统运行，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，