固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。无需在隔离侧使用单独的电源，每个部分包含一个线圈，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，如果负载是感性的，涵盖白色家电、可用于创建自定义 SSR。该技术与标准CMOS处理兼容，以满足各种应用和作环境的特定需求。通风和空调 （HVAC） 设备、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。此外，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，并为负载提供直流电源。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。特别是对于高速开关应用。负载是否具有电阻性，从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。