固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。无需在隔离侧使用单独的电源，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，供暖、此外，该技术与标准CMOS处理兼容，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而实现高功率和高压SSR。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，模块化部分和接收器或解调器部分。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。特别是对于高速开关应用。以支持高频功率控制。从而简化了 SSR 设计。可用于创建自定义 SSR。例如，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。涵盖白色家电、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。航空航天和医疗系统。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。负载是否具有电阻性，以创建定制的 SSR。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，因此设计简单？如果是电容式的，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。