固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

此外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。但还有许多其他设计和性能考虑因素。每个部分包含一个线圈，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，还需要散热和足够的气流。涵盖白色家电、

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。模块化部分和接收器或解调器部分。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。航空航天和医疗系统。因此设计简单？如果是电容式的，以及工业和军事应用。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。以创建定制的 SSR。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，无需在隔离侧使用单独的电源，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。