固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，以支持高频功率控制。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。还需要散热和足够的气流。在MOSFET关断期间，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并为负载提供直流电源。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，以创建定制的 SSR。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，从而简化了 SSR 设计。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。可用于创建自定义 SSR。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，如果负载是感性的，