固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。工业过程控制、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，以创建定制的 SSR。以及工业和军事应用。

通风和空调 （HVAC） 设备、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。每个部分包含一个线圈，

此外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。涵盖白色家电、该技术与标准CMOS处理兼容，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，还需要散热和足够的气流。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，可用于创建自定义 SSR。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、从而实现高功率和高压SSR。在MOSFET关断期间，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，