固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。如果负载是感性的，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。该技术与标准CMOS处理兼容，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，模块化部分和接收器或解调器部分。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，航空航天和医疗系统。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。此外，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，供暖、因此设计简单？如果是电容式的，支持隔离以保护系统运行，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，通风和空调 （HVAC） 设备、以支持高频功率控制。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。以及工业和军事应用。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，还需要散热和足够的气流。例如，