固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以创建定制的 SSR。但还有许多其他设计和性能考虑因素。以及工业和军事应用。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要散热和足够的气流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，以满足各种应用和作环境的特定需求。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，支持隔离以保护系统运行，无需在隔离侧使用单独的电源，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。此外，以支持高频功率控制。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。该技术与标准CMOS处理兼容，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。负载是否具有电阻性，通风和空调 （HVAC） 设备、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，模块化部分和接收器或解调器部分。