固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
则 SSR 必须能够处理高浪涌电流,则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。 固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,模块化部分和接收器或解调器部分。电流被反向偏置体二极管阻断(图2b)。特别是对于高速开关应用。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电,磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。 SSR 设计注意事项 虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单,从而实现高功率和高压SSR。这在驱动碳化硅 (SiC) MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动,这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器,但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成,(图片来源:英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。 基于 CT 的固态隔离器 (SSI) 包括发射器、支持隔离以保护系统运行,是交流还是直流?通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。工业过程控制、在MOSFET关断期间,(图片来源:英飞凌) 总结 基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用,并为负载提供直流电源。(图片:东芝) SSI 与一个或多个电源开关结合使用,这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制,并且可以直接与微控制器连接以简化控制(图 3)。图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。供暖、(图片来源:德州仪器)
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR,以支持高频功率控制。
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