史上最先进！ASML研发新一代Hyper NA EUV光刻机：5nm单次曝光
ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）迈进。不仅效率较低，而且良率也有限。可达到单次曝光8nm分辨率。 快科技6月29日消息，最新一代High NA EUV则提升至0.55。 当NA越大、 目前标准EUV光刻机的NA为0.33，印刷分辨率就越高。目标是实现数值孔径（NA）0.7 或以上，可满足2035年之后的制程需求。 Jos Benschop表示，也是决定电路图样能否精细投影到晶圆上的关键因素。 据悉， 当下，光波长越短， 数值孔径（NA）是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标， Benschop指出， 【本文结束】如需转载请务必注明出处：快科技 责任编辑：朝晖
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