固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

因此设计简单？如果是电容式的，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。模块化部分和接收器或解调器部分。此外，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，以创建定制的 SSR。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。特别是对于高速开关应用。通风和空调 （HVAC） 设备、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。并为负载提供直流电源。以及工业和军事应用。航空航天和医疗系统。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

此外，工业过程控制、（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。