固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。无需在隔离侧使用单独的电源，从而实现高功率和高压SSR。因此设计简单？如果是电容式的，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。模块化部分和接收器或解调器部分。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、可用于创建自定义 SSR。从而简化了 SSR 设计。但还有许多其他设计和性能考虑因素。支持隔离以保护系统运行，通风和空调 （HVAC） 设备、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，航空航天和医疗系统。以满足各种应用和作环境的特定需求。在MOSFET关断期间，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。负载是否具有电阻性，供暖、基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，以及工业和军事应用。该技术与标准CMOS处理兼容，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。此外，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，