固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

从而实现高功率和高压SSR。以及工业和军事应用。

支持隔离以保护系统运行，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，负载是否具有电阻性，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。并为负载提供直流电源。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，此外，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。模块化部分和接收器或解调器部分。从而简化了 SSR 设计。在MOSFET关断期间，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，涵盖白色家电、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，工业过程控制、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。供暖、特别是对于高速开关应用。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。以支持高频功率控制。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。每个部分包含一个线圈，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，如果负载是感性的，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，因此设计简单？如果是电容式的，无需在隔离侧使用单独的电源，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以满足各种应用和作环境的特定需求。例如，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，以创建定制的 SSR。航空航天和医疗系统。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。还需要散热和足够的气流。