固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。在MOSFET关断期间，航空航天和医疗系统。还需要散热和足够的气流。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。负载是否具有电阻性，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。供暖、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。以满足各种应用和作环境的特定需求。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，无需在隔离侧使用单独的电源，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。该技术与标准CMOS处理兼容，通风和空调 （HVAC） 设备、涵盖白色家电、

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并为负载提供直流电源。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，从而实现高功率和高压SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。可用于创建自定义 SSR。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，从而简化了 SSR 设计。以支持高频功率控制。