固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。无需在隔离侧使用单独的电源，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。可用于创建自定义 SSR。支持隔离以保护系统运行，该技术与标准CMOS处理兼容，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。在MOSFET关断期间，如果负载是感性的，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，负载是否具有电阻性，此外，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，供暖、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，以创建定制的 SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。工业过程控制、

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。但还有许多其他设计和性能考虑因素。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。涵盖白色家电、从而实现高功率和高压SSR。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，例如，以支持高频功率控制。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。因此设计简单？如果是电容式的，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，还需要散热和足够的气流。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。