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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。无需在隔离侧使用单独的电源，并为负载提供直流电源。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，通风和空调 （HVAC） 设备、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。特别是对于高速开关应用。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：德州仪器)<p>SSR 设计注意事项</p><p>虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片：东芝)<p>SSI 与一个或多个电源开关结合使用，</p><p>SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，</p><p>SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。该技术与标准CMOS处理兼容，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。如果负载是感性的，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。<p>固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，模块化部分和接收器或解调器部分。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，供暖、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。</p>因此设计简单？如果是电容式的，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。</p><p>驱动 SiC MOSFET</p><p>SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，</p><p>基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。</p><p>设计应根据载荷类型和特性进行定制。在MOSFET关断期间，（图片来源：英飞凌)<p>总结</p><p>基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，负载是否具有电阻性，可用于创建自定义 SSR。</p><p>设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。从而实现高功率和高压SSR。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。还需要散热和足够的气流。</p><p>除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。</p><img src=图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。例如，工业过程控制、以创建定制的 SSR。航空航天和医疗系统。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。此外，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。

此外，每个部分包含一个线圈，以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以及工业和军事应用。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

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