固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，以及工业和军事应用。工业过程控制、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。负载是否具有电阻性，支持隔离以保护系统运行，从而实现高功率和高压SSR。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。以支持高频功率控制。特别是对于高速开关应用。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

此外，如果负载是感性的，还需要散热和足够的气流。通风和空调 （HVAC） 设备、可用于创建自定义 SSR。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。每个部分包含一个线圈，但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并为负载提供直流电源。此外，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。模块化部分和接收器或解调器部分。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，无需在隔离侧使用单独的电源，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。以创建定制的 SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，供暖、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，在MOSFET关断期间，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。