固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

工业过程控制、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以创建定制的 SSR。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。从而简化了 SSR 设计。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。航空航天和医疗系统。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，从而实现高功率和高压SSR。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，以支持高频功率控制。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。通风和空调 （HVAC） 设备、以及工业和军事应用。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。模块化部分和接收器或解调器部分。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。可用于创建自定义 SSR。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。在MOSFET关断期间，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，如果负载是感性的，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，