固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

从而实现高功率和高压SSR。该技术与标准CMOS处理兼容，以创建定制的 SSR。因此设计简单？如果是电容式的，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。此外，供暖、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。可用于创建自定义 SSR。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

此外，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。还需要散热和足够的气流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。支持隔离以保护系统运行，如果负载是感性的，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。