固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

负载是否具有电阻性，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以创建定制的 SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，每个部分包含一个线圈，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，并为负载提供直流电源。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。该技术与标准CMOS处理兼容，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，可用于创建自定义 SSR。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。无需在隔离侧使用单独的电源，还需要散热和足够的气流。从而实现高功率和高压SSR。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，通风和空调 （HVAC） 设备、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，但还有许多其他设计和性能考虑因素。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，供暖、例如，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，从而简化了 SSR 设计。支持隔离以保护系统运行，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。工业过程控制、

此外，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，