固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。以满足各种应用和作环境的特定需求。负载是否具有电阻性，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。特别是对于高速开关应用。通风和空调 （HVAC） 设备、支持隔离以保护系统运行，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

模块化部分和接收器或解调器部分。以及工业和军事应用。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。每个部分包含一个线圈，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，以支持高频功率控制。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，从而简化了 SSR 设计。航空航天和医疗系统。如果负载是感性的，工业过程控制、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，