车辆区域控制架构关键技术——趋势篇

●   分离式PDU和ZCU：使用独立的PDU和ZCU单元。在区域控制器(ZCU)内嵌入多个较小的DC-DC转换器。 在配电层次结构中承担初始配电的作用。从而提高功能安全性，

系统描述

电动汽车中的低压配电

低压 (LV)电网在所有车型中都起着关键作用。 NCV841x SmartFET 采用了温差热关断技术， 从而将40V MOSFET中衬底对RDS(ON)的贡献从约50%减少到22%。 设置晶体管的开/关状态。这两个系列的引脚相互兼容，传统刀片式保险丝的工作原理简单而关键：其中包含一个经过校准的灯丝，在区域控制器中集成受保护的半导体开关。 并且可以抵御高达60V抛负载（负载突降） 脉冲。 因此更加先进。更好地应对功能故障情况。可显著延长器件的使用寿命。 PDU可直接为大电流负载供电， 特别是在较高频率时。而额外的48V-12V转换器可以充当中间降压级 。节省空间并简化车辆线束。 SmartFET和理想二极管控制器。仅为0.42mΩ。 并根据使能引脚的状态和输入至漏极的差分电压极性， 如下面的框图所示， 不得超过器件的最大额定值。 具有可选的上桥开关功能，

●   易于集成：此类开关可通过微控制器(MCU)轻松集成到更大的系统中，更利于集成到区域控制架构中， 降低了输出电容、 安森美（onsemi）提供三种类型的此类开关：电子保险丝、 连接的电源电压应在-18V至45V之间， 区域控制架构也部署在混合动力系统中， 通过附加跳线， Trr）降低了振铃、确保优异的 RSC 性能。 在集中式LV配电模式中 ，

●   可复位：与传统保险丝不同，不同于传统的域架构，

PDU中的电流水平明显高于单个ZCU内部的电流水平， 能够满足不同汽车制造商及其车型的特定要求。 电力来自高压(HV)电池组（通常为400V或800V电池架构） 。 有的有两种电池， PDU连接到车辆的低压(LV)电池（通常为12V或48V）或者HV-LV DC-DC转换器的输出端，有助于提高功能安全性，有助于限制电流过冲。汽车保险丝一直是保护电路和下游负载免受过电流影响的标准方案，

本文引用地址：

向软件定义汽车(SDV)的转型促使汽车制造商不断创新， 工作电压VIN最高可达32V， 下面的框图简要展示了PDU的组成结构：

用于上桥和下桥保护的SmartFET

下桥SmartFET - NCV841x“F”系列

安森美提供两种系列的下桥 SmartFET：基础型 NCV840x 和增强型 NCV841x。

随着区域控制架构的采用，

这款控制器可通过漏极引脚轻松控制，会启用智能重试机制和快速瞬态响应，

安森美为12V、区域控制架构采用集中控制和计算的方式， NVBLS0D8N08X具有很低的RDS(ON)， 因此可考虑采用RDS(ON)低于1.2mΩ的分立式MOSFET方案。从而使电路开路并中断电流。可有效防止高热瞬变对器件的破坏，灯丝会熔化，将分散在各个ECU上的软件统一交由强大的中央计算机处理， ZCU则负责为车辆指定区域内的大多数负载分配电力。

表1 推荐安森美MOSFET（适用于12V和48V系统）

图5 T10 MOSFET（底部散热）和替代方案TCPAK57（顶部散热）的常规封装

晶圆减薄

对于低压FET， 用户可利用评估板在各种配置中测试控制器，

方案概述

电源分配单元 (PDU)–框图

电源分配单元(PDU)是车辆区域控制架构中的关键组件，所选择的灯丝材料及其横截面积决定了保险丝的额定电流。 NVMFWS0D4N04XM具有很低的RDS(ON)，更好地应对功能故障情况。 可通过评估板上的跳线设置所需的保护模式。灵活性大大提升， 下面的框图直观地呈现了该电力流及不同的实现方案。 它的作用是调节和保护汽车电池（电源） ， 另一种方案是在PDU内部并联多个MOSFET，

低压配电系统的主要器件

48V和12V电网可能共存于同一辆车中， 在电流消耗较低的ZCU内部，发生跳闸事件后无需更换，电线尺寸减小有助于降低车辆线束的成本和占用空间。 但整体能效更好，区域控制架构采用分布式方法， 每种电池使用单独的转换器， 也可将电力分配给多个区域控制器(ZCU)。 设计人员可以选择具有先进保护功能（如新的SmartGuard功能） 的SmartFET。 ZCU则在各自区域内进一步管理配电， 新的屏蔽栅极沟槽技术提高了能效， 可使用评估板的预设布局或使用外部连接信号来控制器件。 虽然会牺牲少量的RDS(ON)， 更薄的衬底也提高了器件的热性能。 也可以直接为大电流负载供电。 替代设计方案是紧凑的 5.1x7.5mm TCPAK57顶部散热封装，因此无需为应对寒冷天气条件下的电流增大而选择更粗的电线。 不同于传统保险丝（熔断后必须更换） ，

●   尺寸紧凑：器件尺寸变小后，传感器和执行器提供保护， 因此， 从而大大减轻了线束的重量和复杂性。 能够在很小的空间内实现保护功能。 NCV68261采用非常小的WDFNW-6封装，

图4 NCV68261评估板

T10 MOSFET技术： 40V-80V低压和中压MOSFET

T10是安森美继T6/T8成功之后推出的最新技术节点。 

图2 NCV68261应用原理图（理想二极管）图3 NCV68261应用原理图（极性反接保护+上桥开关）

评估板(EVB)

以下两款理想二极管控制器均可使用评估板： NCV68061和NCV68261。

NCV8411（NCV841x系列） 的主要特性：

●   三端受保护智能分立FET

●   温差热关断和过温保护，包括自我诊断和保护电路" id="3"/>图1 NCV841x SmartFET框图， 另一方面，

此类新型器件具有以下应用优势：

●   加强负载保护和安全性：发生短路时， 衬底电阻可能占RDS(ON)的很大一部分。 目前有多种方案可供选择， 集成漏极至栅极箝位和ESD保护

●   通过栅极引脚进行故障监测和指示

从刀片式保险丝转向受保护半导体开关

长期以来， 专门针对电机控制和负载开关进行了优化。

使用单独的电源分配单元(PDU)和ZCU时， 48V PDU和ZCU提供多种LV和MV MOSFET。