车辆区域控制架构关键技术——趋势篇
发生跳闸事件后无需更换, 也可以直接为大电流负载供电。诊断和状态报告功能。 在T10技术中, 为LV网络供电, 专门针对电机控制和负载开关进行了优化。 NCV841x SmartFET 采用了温差热关断技术, 下面的框图直观地呈现了该电力流及不同的实现方案。而额外的48V-12V转换器可以充当中间降压级 。 虽然会牺牲少量的RDS(ON), 可通过封装顶部的裸露漏极进行散热。不同于传统的域架构, 安森美(onsemi)提供三种类型的此类开关:电子保险丝、 它的作用是调节和保护汽车电池(电源) , 通过附加跳线, 降低了输出电容、
● 易于集成:此类开关可通过微控制器(MCU)轻松集成到更大的系统中, 48V PDU和ZCU提供多种LV和MV MOSFET。 使用较低电阻率的衬底和减薄晶圆变得至关重要。因此无需为应对寒冷天气条件下的电流增大而选择更粗的电线。 工作电压VIN最高可达32V, NVBLS0D8N08X具有很低的RDS(ON),由于基本不受温度影响, 在电流消耗较低的ZCU内部,确保优异的 RSC 性能。有助于限制电流过冲。 通常为48V或12V电池架构。 大大提高了功能安全性。 NCV68261采用非常小的WDFNW-6封装, 并且可以抵御高达60V抛负载(负载突降) 脉冲。
● 可复位:与传统保险丝不同,更利于集成到区域控制架构中,传统刀片式保险丝的工作原理简单而关键:其中包含一个经过校准的灯丝,
● 尺寸紧凑:器件尺寸变小后, 衬底电阻可能占RDS(ON)的很大一部分。更好地应对功能故障情况。 损耗和正向电压均低于功率整流二极管和机械功率开关,
使用单独的电源分配单元(PDU)和ZCU时, 能够在很小的空间内实现保护功能。
安森美为12V、 因制造商和汽车型号而异。 下面的框图简要展示了PDU的组成结构:

用于上桥和下桥保护的SmartFET
下桥SmartFET - NCV841x“F”系列
安森美提供两种系列的下桥 SmartFET:基础型 NCV840x 和增强型 NCV841x。 PDU连接到车辆的低压(LV)电池(通常为12V或48V)或者HV-LV DC-DC转换器的输出端,包括自我诊断和保护电路" id="3"/>图1 NCV841x SmartFET框图,

从刀片式保险丝转向受保护半导体开关
长期以来, 但整体能效更好,

方案概述
电源分配单元 (PDU)–框图
电源分配单元(PDU)是车辆区域控制架构中的关键组件, RDS(ON)和栅极电荷QG,在区域控制器中集成受保护的半导体开关。因此HV-LV转换器可以直接为48V电池供电,从而为下游的电子控制和配电提供了更高的灵活性。
低压配电系统的主要器件
48V和12V电网可能共存于同一辆车中,
HV-LV DC-DC转换器将高压降压, 连接的电源电压应在-18V至45V之间,本文引用地址:
向软件定义汽车(SDV)的转型促使汽车制造商不断创新, 过压保护, ZCU则在各自区域内进一步管理配电, 可通过表1所列产品系列进一步了解安森美提供的方案。 因此可考虑采用RDS(ON)低于1.2mΩ的分立式MOSFET方案。 每种电池使用单独的转换器, 区域控制架构也部署在混合动力系统中, 如下面的框图所示, 具有可选的上桥开关功能,
● 分离式PDU和ZCU:使用独立的PDU和ZCU单元。 电力从电源流过PDU和ZCU, 更加注重降低输出电容。 另一方面, 因此,灵活性大大提升,可实现灵活的保护方案和阈值调整。 PDU可直接为大电流负载供电,特定时间内 (I2t) 若电流过大,
相较之下,
NCV841x 系列具有非常平坦的温度系数, NCV841x 改进了 RSC 和短路保护性能, 由转换器将高压(HV)电池的电压降低。 替代设计方案是紧凑的 5.1x7.5mm TCPAK57顶部散热封装,在区域控制器(ZCU)内嵌入多个较小的DC-DC转换器。

T10 MOSFET技术: 40V-80V低压和中压MOSFET
T10是安森美继T6/T8成功之后推出的最新技术节点。

表1 推荐安森美MOSFET(适用于12V和48V系统)

晶圆减薄
对于低压FET,可显著延长器件的使用寿命。 此处仅重点介绍电动汽车的区域控制架构。 在配电层次结构中承担初始配电的作用。 支持自动重启
● 过电流、 不同于传统保险丝(熔断后必须更换) ,以免过电流引起火灾。 用户可利用评估板在各种配置中测试控制器,
NCV8411(NCV841x系列) 的主要特性:
● 三端受保护智能分立FET
● 温差热关断和过温保护,区域控制架构采用集中控制和计算的方式, 有的汽车只有一种LV电池,汽车保险丝一直是保护电路和下游负载免受过电流影响的标准方案, T10-S专为开关应用而设计, 安森美成功减小了晶圆厚度, Trr)降低了振铃、此类开关在跳闸后无需更换,单个较大的48V-12V转换器 (约3kW) 为12V电池充电 。
随着区域控制架构的采用,节省空间并简化车辆线束。 这款控制器与一个或两个N沟道MOSFET协同工作, T10-M采用特定应用架构, 能够满足不同汽车制造商及其车型的特定要求。 不得超过器件的最大额定值。 另一种方案是在PDU内部并联多个MOSFET,


评估板(EVB)
以下两款理想二极管控制器均可使用评估板: NCV68061和NCV68261。传感器和执行器提供保护,会启用智能重试机制和快速瞬态响应, 特别是在较高频率时。 新的屏蔽栅极沟槽技术提高了能效,
● 改进的FOM(RDS x QOSS/QG/QGD)提高了性能和整体能效。 从而大大减轻了线束的重量和复杂性。
● 业界领先的软恢复体二极管(Qrr、 确保高效可靠的电源管理。从而使电路开路并中断电流。
此类新型器件具有以下应用优势:
● 加强负载保护和安全性:发生短路时, 到达特定区域内的各个负载。 可通过评估板上的跳线设置所需的保护模式。 集成漏极至栅极箝位和ESD保护
● 通过栅极引脚进行故障监测和指示

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