固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。通风和空调 （HVAC） 设备、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。还需要散热和足够的气流。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，以及工业和军事应用。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。以创建定制的 SSR。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而简化了 SSR 设计。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，以支持高频功率控制。每个部分包含一个线圈，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。