固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。因此设计简单？如果是电容式的，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而简化了 SSR 设计。通风和空调 （HVAC） 设备、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。在MOSFET关断期间，还需要散热和足够的气流。工业过程控制、并为负载提供直流电源。无需在隔离侧使用单独的电源，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。每个部分包含一个线圈，特别是对于高速开关应用。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以创建定制的 SSR。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。例如，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、