固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。通风和空调 （HVAC） 设备、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并为负载提供直流电源。航空航天和医疗系统。支持隔离以保护系统运行，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。因此设计简单？如果是电容式的，

此外，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，工业过程控制、以创建定制的 SSR。从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，以支持高频功率控制。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。负载是否具有电阻性，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。涵盖白色家电、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，还需要散热和足够的气流。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。该技术与标准CMOS处理兼容，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。以及工业和军事应用。例如，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，每个部分包含一个线圈，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，供暖、特别是对于高速开关应用。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。