固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

每个部分包含一个线圈，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。工业过程控制、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。该技术与标准CMOS处理兼容，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。供暖、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而实现高功率和高压SSR。模块化部分和接收器或解调器部分。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，特别是对于高速开关应用。以支持高频功率控制。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、通风和空调 （HVAC） 设备、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，以创建定制的 SSR。可用于创建自定义 SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，以满足各种应用和作环境的特定需求。还需要散热和足够的气流。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

此外，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。