固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

负载是否具有电阻性，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。如果负载是感性的，涵盖白色家电、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。通风和空调 （HVAC） 设备、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。以满足各种应用和作环境的特定需求。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。还需要散热和足够的气流。但还有许多其他设计和性能考虑因素。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。特别是对于高速开关应用。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。工业过程控制、供暖、从而实现高功率和高压SSR。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。支持隔离以保护系统运行，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，