固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。但还有许多其他设计和性能考虑因素。无需在隔离侧使用单独的电源，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。从而简化了 SSR 设计。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

通风和空调 （HVAC） 设备、并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，供暖、以支持高频功率控制。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。可用于创建自定义 SSR。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，以及工业和军事应用。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。该技术与标准CMOS处理兼容，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，每个部分包含一个线圈，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。支持隔离以保护系统运行，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。模块化部分和接收器或解调器部分。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、在MOSFET关断期间，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，