固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，从而简化了 SSR 设计。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，模块化部分和接收器或解调器部分。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。涵盖白色家电、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。此外，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

此外，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，但还有许多其他设计和性能考虑因素。例如，以及工业和军事应用。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以创建定制的 SSR。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。