固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。工业过程控制、并为负载提供直流电源。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。此外，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。每个部分包含一个线圈，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。还需要散热和足够的气流。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，通风和空调 （HVAC） 设备、基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以创建定制的 SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。例如，

此外，模块化部分和接收器或解调器部分。