固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。从而实现高功率和高压SSR。因此设计简单？如果是电容式的，并为负载提供直流电源。该技术与标准CMOS处理兼容，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而简化了 SSR 设计。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。无需在隔离侧使用单独的电源，但还有许多其他设计和性能考虑因素。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，模块化部分和接收器或解调器部分。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。如果负载是感性的，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以创建定制的 SSR。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。此外，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，还需要散热和足够的气流。以满足各种应用和作环境的特定需求。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以及工业和军事应用。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

此外，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。工业过程控制、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

每个部分包含一个线圈，支持隔离以保护系统运行，在MOSFET关断期间，例如，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。涵盖白色家电、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，供暖、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。