固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

模块化部分和接收器或解调器部分。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、但还有许多其他设计和性能考虑因素。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，并为负载提供直流电源。还需要散热和足够的气流。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。在MOSFET关断期间，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，以满足各种应用和作环境的特定需求。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，从而简化了 SSR 设计。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以创建定制的 SSR。如果负载是感性的，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。工业过程控制、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。可用于创建自定义 SSR。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，特别是对于高速开关应用。航空航天和医疗系统。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。支持隔离以保护系统运行，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。例如，