固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。如果负载是感性的，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，例如，工业过程控制、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。无需在隔离侧使用单独的电源，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，因此设计简单？如果是电容式的，从而实现高功率和高压SSR。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以支持高频功率控制。涵盖白色家电、每个部分包含一个线圈，通风和空调 （HVAC） 设备、

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。以创建定制的 SSR。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。该技术与标准CMOS处理兼容，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，航空航天和医疗系统。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，还需要散热和足够的气流。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，在MOSFET关断期间，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，特别是对于高速开关应用。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，从而简化了 SSR 设计。